在快速熱處理中控制硅的發(fā)射率和熱均勻性

硅的發(fā)射率隨溫度、波長和表面特性而變化，導致不同光譜范圍內(nèi)的行為復雜。
對于使用感應或電阻加熱的設(shè)備，半導體工藝的現(xiàn)場和在線溫度監(jiān)測通常使用 CTratio 高溫計實現(xiàn)。這些緊湊的兩件式設(shè)備配有柔性光纖，可以放置在狹窄或難以觸及的區(qū)域。它們旨在承受惡劣條件，包括高達 315°C 的環(huán)境溫度、振動和化學暴露。比率技術(shù)通過比較兩種不同波長的光的強度來提供**的溫度測量，從而減少由發(fā)射率變化、光學干擾或光路障礙物引起的誤差。智能比率軟件模式可以根據(jù)硅發(fā)射率的變化進行調(diào)整，即使發(fā)射率在兩個波長上變化不均勻，也能確保讀數(shù)準確。
盡管有這些先進的技術(shù)，半導體行業(yè)仍然經(jīng)常使用加熱燈或?qū)⒕A放置在加熱的熱質(zhì)量附近。這些使用石英管燈的設(shè)施受益于硅在特定波長下的高發(fā)射率，但在**測量溫度方面面臨挑戰(zhàn)。這些燈發(fā)射的能量約為 1 μm，使紅外傳感器檢測變得復雜，因為傳感器可能會拾取石英管而不是晶片。硅在低溫下對長波長紅外線是透明的，但在高溫下變得不透明。在這樣的應用中，工作在 1 μm 左右的高溫計是不夠的，需要傳統(tǒng)的長波長紅外傳感器?？梢允褂枚鄠€測溫儀或線掃描儀模式下的紅外熱像儀通過狹縫進行熱均勻性測量。

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