日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是衰敗還是韜光養(yǎng)晦？

日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是衰敗還是韜光養(yǎng)晦？

日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是衰敗還是韜光養(yǎng)晦？

日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是衰敗還是韜光養(yǎng)晦？

日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是衰敗還是韜光養(yǎng)晦？

*近日本半導(dǎo)體廠商可謂新聞不斷，從幾年前的東芝財務(wù)丑聞，近幾個月的出售半導(dǎo)體業(yè)務(wù)以求生存，以及近日的旗下西屋電氣申請破產(chǎn)保護(hù)。資不抵債的東芝真可謂是“屋漏偏逢連夜雨，船遲又遇打頭風(fēng)”，斷臂求生以自保，氣數(shù)已盡難自救。

同時，昨日也有消息表示，日本松下擬對6項虧損業(yè)務(wù)進(jìn)行進(jìn)一步整合，計劃對無法盈利的多個業(yè)務(wù)部門進(jìn)行裁員，并出售液晶面板生產(chǎn)線和半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的股份。在此之前的2011和2012財年，松下因等離子電視機業(yè)務(wù)失敗出現(xiàn)了超過7500億日元的凈虧損。此后，松下進(jìn)行了大規(guī)模整合，比如撤出了等離子電視和等離子面板業(yè)務(wù)，并出售了鉛蓄電池等眾多業(yè)務(wù)。

日本半導(dǎo)體企業(yè)近來接連不斷的新聞，使得剛剛落幕的幾年前那一股唱衰日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的論調(diào)再次甚囂塵上，更有愈演愈烈之勢，除了全球半導(dǎo)體前二**中很難再尋摸到日本企業(yè)的佐證之外，夏普、東芝、索尼這些日本標(biāo)桿性企業(yè)出售總部大樓，轉(zhuǎn)手業(yè)務(wù)部門，精簡企業(yè)構(gòu)架的新聞也似乎將這種論調(diào)坐實了。

但是事實真的是如此嗎？下面就讓我們深入了解幾大主要的日本半導(dǎo)體廠商的業(yè)務(wù)和銷售情況，看看日本半導(dǎo)體是否真的衰落了。

東芝：破產(chǎn)與出售，翻身難如登天！

首先讓我們看看正在斷臂求生的東芝的發(fā)展情況，是否真的如我們所看到的那么難以為繼。

由于近日東芝宣布將申請再次推遲提交包含2016財年前三財季合并財務(wù)報表的“季報”，目前我們很難估計東芝的財務(wù)情況到底如何。
但是，作為曾經(jīng)的消費電子巨頭，如今的東芝在原有產(chǎn)品布局的基礎(chǔ)上進(jìn)行了調(diào)整，將“能源”、“存儲”、“醫(yī)療”作為其三大支柱產(chǎn)業(yè)。

其中，在醫(yī)療領(lǐng)域，佳能于2016年的3月中旬以65億美元收購東芝醫(yī)療，東芝徹底放棄了醫(yī)療領(lǐng)域。

在能源領(lǐng)域，早在2006年，東芝以54億美元收購了美國核電技術(shù)企業(yè)西屋公司。這一價格遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了市場預(yù)期，而后在2011年，日本福島核電站的事故，又讓東芝陷入了沒有預(yù)測到的天災(zāi)當(dāng)中，核能業(yè)務(wù)在日本本土難以進(jìn)一步開展。

2015年底西屋電氣收購了從事核電業(yè)務(wù)的美國石偉公司，這一錯誤決策由于受到成本的上漲導(dǎo)致*終產(chǎn)生的成本大幅超過收購時的預(yù)期，令東芝進(jìn)一步陷入被動。
而在存儲領(lǐng)域，東芝目前是僅次于三星電子的全球**大閃存制造商，也是NAND閃存的創(chuàng)始人。NAND芯片制造一直是東芝*核心，也是*賺錢的業(yè)務(wù)。此次，東芝被迫決定出售部分就是存儲業(yè)務(wù)，官方公布的出售比例約為20%。但國外媒體報道顯示，由于*新核算需要減記的資金量高達(dá)63億美元，因此東芝或?qū)鍪?0%的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)股份，來換取足夠的資金維持公司運轉(zhuǎn)。

不過，需要注意的是，隨著三星電子、美光、SK海力士等企業(yè)閃存業(yè)務(wù)崛起，東芝也逐漸表現(xiàn)出力不從心。在市場份額方面，根據(jù)DRAM eXchange的報告表明，2015年第四季度，三星電子NAND閃存強勢占領(lǐng)近三分之一的份額，以33.6%昂首稱雄，而東芝僅占18.6%。在技術(shù)方面，三星的2D NAND閃存工藝已經(jīng)達(dá)到14nm；但在3D NAND閃存上，三星與東芝水平持平。

但是東芝在存儲技術(shù)方面依然有著很強的實力。據(jù)報道，在東芝和三星電子目前生產(chǎn)的閃存芯片中，在垂直方向上一共使用了48層芯片，層數(shù)的增加，意味著在單位的面積內(nèi)，閃存芯片的數(shù)據(jù)容量更大。而東芝研發(fā)的新一代3D閃存芯片，將一共使用64層芯片進(jìn)行存儲，這樣存儲容量將能夠提高三成。