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產(chǎn)品名稱：MA-6131ML，G3～G5基板用，直立型近接曝光裝置，直，DNK大日本科研DSLY0505
產(chǎn)品型號：MA-6131ML
產(chǎn)品廠商：日本DNK大日本科研
產(chǎn)品價格：0
折扣價格：0
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簡單介紹：

MA-6131ML，G3～G5基板用，直立型近接曝光裝置，直，DNK大日本科研DSLY0505 MA-6131ML，G3～G5基板用，直立型近接曝光裝置，直，DNK大日本科研DSLY0505 MA-6131ML，G3～G5基板用，直立型近接曝光裝置，直，DNK大日本科研DSLY0505

詳情介紹：

MA-6131ML，G3～G5基板用，直立型近接曝光裝置，直，DNK大日本科研DSLY0505
MA-6131ML，G3～G5基板用，直立型近接曝光裝置，直，DNK大日本科研DSLY0505
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MA-6131ML，G3～G5基板用，直立型近接曝光裝置，直，DNK大日本科研DSLY0505
MA-6131ML，G3～G5基板用，直立型近接曝光裝置，直，DNK大日本科研DSLY0505

通過掩膜與基板的垂直放置,來減少翹曲的直立型近接曝光機。對應(yīng)水平搬送型前后處理裝置的聯(lián)機。

特長：

直立配置掩膜臺/基板臺。不需補正由掩膜/掩膜臺/基板臺的自身重量而造成的彎曲變形,構(gòu)造簡單，安定性高。
采用新型光學(xué)系統(tǒng),使影響圖形轉(zhuǎn)印精度的傾斜角降低至過去的一半以下(與本公司裝置相比),可實現(xiàn)更高精度的圖形轉(zhuǎn)印。
完全分離本體與光源部。光源的熱量傳遞不到本體,改善了本體部的熱量分布水準。
為了防止因掩膜及玻璃基板的溫度差造成的伸縮變形,可選擇基板臺溫度控制系統(tǒng)及掩膜冷卻系統(tǒng)。(選購項)
*大基板尺寸為1,200mm×1,400mm。通過獨自的光學(xué)系統(tǒng)實現(xiàn)了均勻的一次性曝光。
能夠裝載存放5張掩膜的掩膜存放庫

		MA-6701ML	MA-6801ML	MA-6131ML
基板尺寸		550 x 650mm	650 x 750mm	1100 x 1300mm
掩膜尺寸		620 x 720 x t8.0mm	700 x 800 x t8.0mm	1200 x 1400 x t4.8mm
對位		非接觸預(yù)對位～自動對位
間隙		擁有傳感性能
光源		超高壓水銀燈：8kW	超高壓水銀燈：8kW	超高壓水銀燈：18kW
外觀尺寸及重量	本體尺寸	W3500 x D2720 x H2700 mm	W4150 x D3200 x H2900 mm	W11300 x D7060 x H3350 mm
	本體重量	3500kg	3800kg	12700kg
	光源重量	800kg	1150kg	4200kg
選購項		掩膜冷卻、基板臺溫度調(diào)節(jié)、溫控機房、特殊對位照明
用途		觸摸屏、彩色濾光片、有機EL、C－STN、電子紙等